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Publications scientifiques du centre CEA de Grenoble
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DRT-LETI - Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information
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DRT-LITEN - Laboratoire d'innovation pour les technologies des énergies nouvelles et les nanomatériaux
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DRF-IRIG - Institut de recherche interdisciplinaire de Grenoble
Dépôts récents
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Cyrille Le Royer, Blend Mohamad, Jérôme Biscarrat, Laura Vauche, René Escoffier, et al.. Normally-OFF 650V GaN-on-Si MOSc-HEMT Transistor: Benefits of the fully recessed gate architecture. ISPSD 2022 - IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, May 2022, Vancouver, Canada. 2022, ⟨10.1109/ISPSD49238.2022.9813672⟩. ⟨cea-04577370⟩
Pour toute question : hal@cea.fr
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